Carbon Blocks Extruded Graphite Blocks Edm იზოსტატიკური კათოდური ბლოკი
ტექნიკური პარამეტრი
ფიზიკური და ქიმიური ინდექსები გრაფიტის ბლოკისთვის
| ელემენტი | ერთეული | GSK | TSK | PSK |
| გრანული | mm | 0.8 | 2.0 | 4.0 |
| სიმკვრივე | გ/სმ3 | ≥1.74 | ≥1.72 | ≥1.72 |
| წინააღმდეგობა | μ Ω.მ | ≤7.5 | ≤8 | ≤8.5 |
| კომპრესიული სიძლიერე | მპა | ≥36 | ≥35 | ≥34 |
| ნაცარი | % | ≤0.3 | ≤0.3 | ≤0.3 |
| ელასტიური მოდული | გპა | ≤8 | ≤7 | ≤6 |
| CTE | 10-6/℃ | ≤3 | ≤2.5 | ≤2 |
| მოქნილობის სიძლიერე | მპა | 15 | 14.5 | 14 |
| ფოროზულობა | % | ≥18 | ≥20 | ≥22 |
საკუთრება გრაფიტის ბლოკისთვის/კვადრატისთვის
| ჩამოსხმის გრაფიტის ბლოკის საკუთრება აგლომერაციის მრეწველობისთვის | |||||||||||||
| ელემენტი | სიმკვრივე | ელექტრული წინააღმდეგობა | ნაპირის სიმტკიცე | თერმული გამტარობა | თერმული გაფართოება | კომპრესიული სიძლიერე | მოქნილობის სიძლიერე | ელასტიური მოდული | ნაცარი | ||||
| GF-1 | 1.80 | 8-10 | 48 | 125 | 4.9 | 80 | 40 | 9.5 | 500 | ||||
| GF-2 | 1.68 | 9-13 | 35 | 95 | 5.7 | 50 | 25 | 8 | 500 | ||||
| GF-3 | 1.50 | 12-15 | 30 | 80 | 6.2 | 32 | 15 | 6 | 500 | ||||
| იზოსტატიკური გრაფიტის ბლოკის საკუთრება ფოტოელექტრული მრეწველობისთვის | |||||||||||||
| ელემენტი | სიმკვრივე | ელექტრული წინააღმდეგობა | ნაპირის სიმტკიცე | თერმული გამტარობა | თერმული გაფართოება | კომპრესიული სიძლიერე | მოქნილობის სიძლიერე | ელასტიური მოდული | ნაცარი | ||||
| ერთეული | გ/სმ3 | μ Ω.მ | HSD | W/mk | 10-6/℃ | მპა | მპა | გპა | PPM | ||||
| GF-5 | 1.72 | 10-13 | 40 | 100 | 5 | 65 | 30 | 9.2 | 500 | ||||
| GF-6 | 1.81 | 11-14 | 60 | 120 | 4.5 | 90 | 45 | 10.5 | |||||
| იზოსტატიკური გრაფიტის ბლოკის საკუთრება 3D მინის ჩამოსხმისთვის და სხვა ინდუსტრიისთვის | |||||||||||||
| ელემენტი | სიმკვრივე | ელექტრული წინააღმდეგობა | ნაპირის სიმტკიცე | თერმული გამტარობა | თერმული გაფართოება | კომპრესიული სიძლიერე | მოქნილობის სიძლიერე | ელასტიური მოდული | საშუალო გრანული | ||||
| ერთეული | გ/სმ3 | μ Ω.მ | HSD | W/mk | 10-6/℃ | მპა | მპა | გპა | მმ | ||||
| GF-7 | 1.85 | 12-16 | 55 | 105 | 4 | 105 | 50 | 10 | 8 | ||||
| GF-8 | 1.85 | 12-16 | 60 | 110 | 4 | 120 | 55 | 11 | 4 | ||||
| GF-9 | 1.88-1.92 | 10-14 | 75 | 110 | 3.9 | 125 | 60 | 12 | 2 | ||||
| GF-10 | 1.81 | 15-19 | 80 | 80 | 5.8 | 130 | 43 | 7.5 | 12 | ||||
| იზოსტატიკური გრაფიტის ბლოკის საკუთრება EDM ინდუსტრიისთვის | |||||||||||||
| ელემენტი | სიმკვრივე | ელექტრული წინააღმდეგობა | ნაპირის სიმტკიცე | Rockwell Hardness | მოქნილობის სიძლიერე | საშუალო გრანული | |||||||
| ერთეული | გ/სმ3 | μ Ω.მ | HSD | HRL | მპა | მმ | |||||||
| GF-11 | 1.76 | 12-16 | 40 | 94 | 40 | 8 | |||||||
| GF-12 | 1.78 | 12-16 | 45 | 100 | 45 | 4 | |||||||
| GF-13 | 1.84 | 10-14 | 70 | 105 | 55 | 6 | |||||||
ფიზიკური და ქიმიური ინდექსები გრაფიტის ბლოკისთვის
| ელემენტი | ერთეული | GSK | TSK | PSK |
| გრანული | mm | 0.8 | 2.0 | 4.0 |
| სიმკვრივე | გ/სმ3 | ≥1.74 | ≥1.72 | ≥1.72 |
| წინააღმდეგობა | μ Ω.მ | ≤7.5 | ≤8 | ≤8.5 |
| კომპრესიული სიძლიერე | მპა | ≥36 | ≥35 | ≥34 |
| ნაცარი | % | ≤0.3 | ≤0.3 | ≤0.3 |
| ელასტიური მოდული | გპა | ≤8 | ≤7 | ≤6 |
| CTE | 10-6/℃ | ≤3 | ≤2.5 | ≤2 |
| მოქნილობის სიძლიერე | მპა | 15 | 14.5 | 14 |
| ფოროზულობა | % | ≥18 | ≥20 | ≥22 |
გრაფიტის ბლოკების ფორმირების პროცესი
გუფანის გრაფიტის ბლოკი დამზადებულია უმაღლესი ნავთობის კოქსისგან და იწარმოება დამსხვრევის, კალცინაციის, საშუალო დამსხვრევის, დაფქვის, სკრინინგის, დოზირების, მორევის, ფორმირების, გამოცხობის, გაჟღენთის, გრაფიტიზაციის, დამუშავებისა და შემოწმების გზით. თითოეული ნაბიჯის პროცედურა მკაცრად კონტროლდება ჩვენი ინჟინრების მიერ პროდუქტის ხარისხის უზრუნველსაყოფად.
მახასიათებლები
- დაბალი ელექტრო წინააღმდეგობა
- მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა
- კარგი ელექტრო და თბოგამტარობა
- მაღალი ჟანგვის წინააღმდეგობა
- მეტი წინააღმდეგობა თერმული და მექანიკური შოკის მიმართ
- მაღალი მექანიკური სიმტკიცე და დამუშავების სიზუსტე
- ერთგვაროვანი სტრუქტურა
- მყარი ზედაპირი და კარგი მოქნილობის სიმტკიცე
აპლიკაციები
გრაფიტის ბლოკს აქვს შესანიშნავი შესრულება, როგორიცაა კარგი თვითშეზეთვა, მაღალი სიძლიერე, ზემოქმედების წინააღმდეგობა, აცვიათ წინააღმდეგობა და შესანიშნავი გამტარობა. ისინი ფართოდ გამოიყენება ისეთ სფეროებში, როგორიცაა მექანიკა, ელექტრონიკა, ქიმიური მრეწველობა და სხვა ახალი ინდუსტრიები.
- გრაფიტის ჭურჭლის, ყალიბის, როტორისა და ლილვის წარმოება
- როგორც მასალები ღუმელებისთვის
- სხვადასხვა დამუშავების ნაწილები მჟავე, ტუტე ან კოროზიულ გარემოში
- გრაფიტის ელექტროდის დამზადება
- ტუმბოების, ძრავების და ტურბინების ბეჭდების და საკისრების წარმოება
- ექსტუდირებული გაფიტის ბლოკები
- იზოსტატიკური გაფიტის ბლოკები
- ჩამოსხმა გაფიტის ბლოკი
- წვრილი ღვეზელი გაფიტის ბლოკები
- გაფიტის ბლოკი საშუალო ნაპირზე
- Coase Patcle გაფიტის ბლოკი
- ჩვენ გთავაზობთ მორგებულ სერვისს. ჩვენ შეგვიძლია გამოვამუშაოთ გაფიტის ბლოკი საბაჟო ტექნიკით.
დაკავშირებული პროდუქტები
-
Carbon Graphite Rod Black Round Graphite Bar Co...
ტექნიკური პარამეტრი ელემენტი ერთეული კლასი მაქსიმალური ნაწილაკი 2.0მმ 2.0მმ 0.8მმ 0.8მმ 25-45მკმ 25-45μm 6-15μm წინააღმდეგობა ≤uΩ.m 9 9 8.5 8.5 12 12 10-12 სიძლიერე 2≥32M კომპრესიული 60 65 85-90 მოქნილობის სიმტკიცე ≥Mpa 9.8 13 10 14.5 30 35 38-45 ნაყარი გ/სმ3 1.63 1.71 1.7 1.72 1.78 1.82 1.86-ET (1.00) ≤×10-6/°C 2,5 ...
-
სილიკონის კარბიდის გრაფიტის ჭურჭელი M-ის დნობისთვის...
სილიკონის კარბიდის ჭურჭლის თვისება ერთეული Sic შინაარსი ტემპერატურის მდგრადობა კაბონის შემცველობა აშკარა სიმსუქნე მასობრივი სიმკვრივის მონაცემები ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1 გ/სმ-ის შინაარსის კორექტირება შეგვიძლია თითოეული aw mateial წარმოქმნას cucible accoding საბაჟო აღჭურვილობა. Silicon Cabide Cucible უპირატესობები მაღალი სიმტკიცის კარგი თერმული კონდუქტომეტრული დაბალი თერმული გაფართოება მაღალი სითბოს წინააღმდეგობა მაღალი სიმტკიცე ...
-
მაღალი სისუფთავის Sic სილიკონის კარბიდის ჭურჭლის გრაფიკა...
სილიკონის კარბიდის ჭურჭლის მუშაობის პარამეტრი მონაცემთა პარამეტრი მონაცემები SiC ≥85% ცივი დამტვრევის სიძლიერე ≥100MPa SiO₂ ≤10% აშკარა ფორიანობა ≤%18 Fe2O3 <1% ტემპერატურის წინააღმდეგობა ≥1700°C ტემპერატურაზე წინააღმდეგობა ≥17000 აწარმოე მომხმარებლის მოთხოვნების მიხედვით აღწერა შესანიშნავი თბოგამტარობა ---აქვს შესანიშნავი თერმო...
-
სილიკონის კარბიდი Sic გრაფიტის ჭურჭელი დნობისთვის...
სილიკონის კარბიდის ჭურჭლის მუშაობის პარამეტრი მონაცემთა პარამეტრი მონაცემები SiC ≥85% ცივი დამტვრევის სიძლიერე ≥100MPa SiO₂ ≤10% აშკარა ფორიანობა ≤%18 Fe2O3 <1% ტემპერატურის წინააღმდეგობა ≥1700°C ტემპერატურაზე წინააღმდეგობა ≥17000 აწარმოოს მომხმარებელთა მოთხოვნების შესაბამისად აღწერა როგორც ერთგვარი მოწინავე ცეცხლგამძლე პროდუქტი, სილიციუმის კარბიდი ...
-
სილიკონის გრაფიტის ჭურჭელი ლითონის დნობისთვის...
ტექნიკური პარამეტრი თიხის გრაფიტის ჭურჭელისთვის SIC C რღვევის ტემპერატურის წინააღმდეგობის მოდული ნაყარი სიმკვრივე აშკარა ფორიანობა ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% ჩვენ შეგვიძლია ვაწარმოოთ ნედლეულის შინაარსი შენიშვნა: კლიენტების მიხედვით მოთხოვნა. აღწერა ამ ჭურჭელში გამოყენებული გრაფიტი ჩვეულებრივ მზადდება...
